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日本原装AE-MIC爱米克 用于薄膜电容器和MLCC的电容计AE-365E

货号: AE-365E
库存: 0 无货
品牌: IRIE入江

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简介

非常适合用于芯片、MELF、径向和轴向电容器的编带机

产品详情
  • 超高速:1毫秒。 【典型值】(测量时间)

  • 2pF/20pF 范围 5V 测量大大提高了微电容稳定性

  • 通过检测异常测量值,即使在测量 2 个端子(4 个端子)时也能检测探头接触缺陷

  • 4 端子触点检查:测量后/关闭可选

  • 测量频率:1kHz/120Hz±0.1%(正弦波形)

  • 串联等效电路、并联等效电路可切换

  • 恒压测量(在某些范围内不可用)

  • 可以测量 Tanδ(不支持 2pF 范围)

  • 31/2 位 (1999) 数字显示屏,内置 HI/GO/LO 输出比较器功能

  • RS-232C 接口,打印机输出(符合 Centronics)标准(GP-IB 可选)

  • 间歇施加测量电流以减少探头触点的磨损 [120μF/1.2mF 范围]

  • 即使在测量过程中,也能将测量值、统计数据、日期、时间等输出到打印机

测量范围和基本精度(D<0.1,环境温度23°C±5°C)
测量范围测量范围最低分辨率准确性测量电压
2p华氏0.000pF~1.999pF0.001pF±RDG 的 1.0%±在 5digitxa 内1kHz,1V±5% [均方根]1kHz,5V±5V% [rms]
20pF0.00pF~19.99pF0.01pF±0.25 的 RDG±在 3digitxa 内
200pF0.0pF~199.9pF0.1pF± 0.2digitxa 内 RDG± 的 2%—-
2nF0.000nF~1.999nF0.001nFRDG 的 ±0.2%±在 2 位以内—-
20nF0.00nF~19.99nF0.01华氏度—-
200nF0.0nF~199.9nF0.1nF—-
2微华氏度0.000μF~1.999μF0.001微华氏度120Hz、0.5V±5% [rms]
20微华氏度0.00μF~19.99μF0.01微华氏度± 0.3 位 RDG 的 3%±在 3digitxa 内
120微华氏度0.0μF~119.9μF0.1微华氏度±RDG 的 1.0%±在 5digitxa 内1kHz,1V+5%~-15% [rms]—-
200微华氏度0.0μF~199.9μF0.1微华氏度RDG 的 ±0.5%±在 3digitxa 内—-120Hz、0.5V±5% [rms]
1.2毫华氏度0.000mF~1.199mF0.001毫华氏度± 1.5 位 RDG 的 5%±在 5digitxa 内—-120Hz、0.5V+5%~5%~-25% [rms]
※0.1<d<1の場合は、25d 100(%)が上記確度に加算されます。="" α:fast="" 時2(2pf レンジ="" 1vの時 α="10)" slow="" 時(2pf レンジ=""
测量方法3/5 端子测量方式 [每个范围可选择]
测量频率120Hz/1kHz±0.1%,正弦波形
测量信号输出 cainbedance。约1Ω
托盘容量校正范围约 30pF
满量程和零温度系数±在100ppm/°C以内
测量温度[自由运行周期]FAST:约 1~5 次/秒
SLOW:FAST×N(N:设置平均值的次数)
[被测信号 [FAST]] 1 毫秒 [最快]
比较器设置范围电容:HI/LO 均为 1999 [120μF/1.2mF 范围内的 HI/LO 均为 1199]电容:99.9%
使用环境温度:0°C~+50°C,湿度:85%以下
所需功率AC85V~265V,50~60HZ,约50VA
尺寸333(W)×99(H)×300(D)mm(不包括橡胶脚垫等突起物。 )
重量约 4 公斤
AE-365E 机身
[RS-232C标准]
选择・GP-IB考试[如果选择 GP-IB,则无法安装 RS-232C。 ]

* 规格如有更改,恕不另行通知。


日本原装AE-MIC爱米克 用于薄膜、钽、电解和低 ESR 电容器的 C/tanδ 测量仪AE-369B
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日本原装AE-MIC爱米克 用于薄膜电容器和MLCC的电容计AE-363D
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